Зинк сульфид представляет собой неорганическое соединение с химической формулой Zn. Это основная форма цинка в природе, а цинк в основном существует в виде минерального сфалерита. Читать Далее »

Теллурид свинца представляет собой соединение свинца и теллура (PBTE). Он кристаллизует в кристаллической структуре NaCl с атомами Pb, занимающими катионом и тэ, образуя анионную решетку. Это узкий зазор полупроводник с зонкой полосы 0,32 эВ. Это происходит естественно, как минеральный алтайт. Читать Далее »

Дисульфид молибдена [молибден (IV) сульфида MOS2] - неорганическое соединение, которое существует в природе в минеральном молибдените. Его кристаллы имеют гексагональную слоистую структуру. Читать Далее »

Селенид Diselenide ниобия или ниобия (IV) представляет собой многослойный дичалькогенид металла перехода с формулой NBSE2. Дизализация ниобия - это смазка, а сверхпроводник при температуре ниже 7,2 К, который демонстрирует волну плотности заряда (CDW) Читать Далее »

Теллурид цинка Cadmium, (Cdznte) или CZT, представляет собой соединение кадмия, цинкового и теллура или, более строго говоря, сплавом теллурида кадмия и теллурида цинка. Прямой полупроводник BandGap. Читать Далее »

Характерным характеристиком теллурида сурьмы теллурид является неорганическим соединением с химической формулой SB2Te3. Как истинно для других слоистых калькогенидов PnictOgen, это серое кристаллическое твердое вещество с слоистой структурой. Слои состоят из двух атомных листов сурьмы и трех атомных листов Читать Далее »

Теллурид кадмия (CdTe) представляет собой стабильное кристаллическое соединение, образованное из кадмия и теллура. Он в основном используется в качестве полупроводникового материала в Cadmium Telluride Photovoltaics и инфракрасным оптическим окном. Читать Далее »

GESBTE (Германий-антимония-теллур или GST) - это материал фазового изменения из группы халкогенидных стекол, используемых при перезаписываемых оптических дисках и приложениях памяти фазовых изменений. Читать Далее »

Конкурс аккумуляторной батареи автомобильной мощности колеблется в несколько раз под большой палочкой новой энергетической политики финансовой субсидии. Первые тройные литиевые батареи выбивали литиевые аккумуляторы из лития из фосфата из лития из \"железного трона \", и теперь это поворот литий-железных аккумуляторов, тройных литиевых батарей в недомогании. Читать Далее »

1. Селенид галлия PrikementGallium SELENIDE (GASE) представляет собой группу XIII послеходный моночалкогенид XIII. Как и переходные металлические дичалькогениды (TMDCS), это слоистый полупроводник. В селениде галлия каждый отдельный слой состоит из ковалентно-связанных стеков с листами ионов Se на вершине Читать Далее »

Новый материал без индумии наиболее важных применений индий-металас Редкий металл состоит в том, чтобы синтезировать оксид индий олова. Соединение известно для его оптически прозрачных и электрически проводящих свойств, что делает его ключевым ингредиентом в сенсорных материалах. Но индия скудна, е Читать Далее »

Оксид висмута (III) является важным соединением висмута, оксид висмута имеет два вида кристаллической структуры: альфа-тип и бета-тип. По сравнению с оксидом бета-висмута, оксид альфа-висмута более стабилен при высокой температуре и имеет более распространенное использование электронных материалов, термистор, стекловолокна, V Читать Далее »

Оксид индий-олова (ITO) широко использовался в качестве прозрачного проводящего материала для различных устройств отображения. В то время как этот материал имеет некоторые проблемы, такие как проводимость и гибкость. Высокая проводимость необходима для адаптации, когда размер панели становится больше. Гибкость требуется Читать Далее »

Цель азо-распыления или алюминиевой легированной целевой целевой оксидной оксида, содержит элемент Al, Zn и O. область: 99%, 99,9%, 99,99%. Хирикулярно: диаметр <= 14 дюймов, толщина> = 1 мм; блок: длина <= 32 дюйма, ширина <= 12 дюймов, толщина> = 1 мм. Высокая чистота AZO распыления целей доступны в различных формах Читать Далее »

97% нано-керамический слой Al2O3 + 3% TiO2 опрыскивали на поверхность азота магния AZ91D путем распыления плазмы. Керамический размер частиц составлял 150 нм и 120 нм, а толщина покрытия составляла 50 мкм ~ 100 мкм. Тепловая эффективность ηQ было около 65%. Поверхность образца предварительно нагрета до 100 ℃ до распыления Читать Далее »