Исследования и разработки

Вы здесь: Дома » Исследования и разработки

ИССЛЕДОВАНИЯ И РАЗРАБОТКИ

КаждыйГод, мы вкладываем большое количество как НИОКР. Мы всегда принимаем исследования и разработки новых продуктов и новых технологий в качестве главного приоритета операции нашей компании.OУр R & D инженеры освоили много навыков и опытаsМы предоставляем эти разработки исследований и разработок для клиентов для клиентов.

Ti3Sic2 спекание цели

Ti3Sic2 - гексагональный кристалл, который состоит из плоского слоя Si, соединенного Ti C Octahedron, с образованием слоистой структуры.
Ti3Sic2, как металл, имеет отличный теплопроводник, легко обрабатывать, относительно \"мягкий \", не чувствительный к термическому удару, как керамика с хорошим сопротивлением окисления, наиболее важно все еще поддерживает высокую прочность при высокой температуре. Ti3Sic2 интегрирует характеристики керамического и металла, высокоэластичного модуля, высокая температура плавления и высокотемпературная стабильность отражает свойства аналогичной керамики;

Персонаж:

Плотность: 4.64 г / см2,
Резистор: ~ 10Ω
Нет разницы в цвете, без пятен.

Запрашивать

ZRS2 порошок, 99,9%, -100mesh

Дисульфид циркония (ZRS2) имеет слоистую структуру, и она принадлежит к дичалькогенидам IV перехода IV (TMDCS). ZRS2 - термодинамически устойчивый, экологически чистый с высокой чувствительностью, а также недорогим производством. Монослои ZRS2 проявляли очевидные характеристики транспортировки N-типа с относительно высокой подвижностью.
Приложения:

ZRS2 - многообещающий материал для оптоэлектроники из-за его большей подвижности носителя при комнатной температуре и более высокой плотности тока, чем MOS2, которые желательно для устройств с низким энергопотреблением. С непрямой Bandgap около 1,7 эВ и прямой BandGAP около 2,0 эВ для монослоя ZRS2 находит применения в термоэлектриках, Schottky солнечных элементах, фотодетекторах, фетах и каталитическом водорода.
Наноматериалы ZRS2 2D имеют высокую электронную мобильность, то есть 1200 см2 / против, что больше Tham в три раза больше, чем у широко исследованного MOS2 (340 см2 / против). Устройства FET на основе ZRS2 имеют более высокую электронную чувствительность и отличные полупроводниковые свойства. Расчеты показали, что транзисторы туннелирования на основе ZRS2, основанные на ZRS2 (TFETS) могут иметь плотность тока листа до 800 мкА / мкм (в 100 раз выше, чем у MoS2), придавая повышением большого нанесения на приборы в приборе.

Запрашивать

Целью распыления IZO, 99,9%

Название продукта: Цель оксида цинка INDIUM (IZO) (IZO)
Формула: IZO (IN2O3 / ZNO, 90/10 мас.%)
Чистота: 99,9%
Форма: Прямоугольные цели, Изготовленные на заказ
Размер: 249,6 * 125 * 6 мм
Керамическая цель ИЗО (99,99% в чистоте и плотности) содержит 90 мас.% Ln2O3 и 10 мас.% ZnO. Система распыления прямого тока (DC) Magnitron используется для осаждения пленки. Без / с техникой отложения ионного осаждения (IAD), электрические, оптические и структурные свойства этих пленок, полученных различными мощностями постоянного тока (например, 50 Вт, 80 Вт и 100 Вт), являются оптимальным состоянием осаждения IZO, который Разработано для приложений гибкого органического света (OLED).

Запрашивать

Урошок карбида гафния

Материал порошкового карбида Hafnium, молекулярная формула HFC, HFC, тип хлорида натрия. Кубическая кристаллическая система, серо-черный порошок, температура плавления 3890 ℃, теоретическая плотность 12,7 г / см3, теплопроводность составляет 6,28 【(M k) -1】 (20 ℃), Удельное сопротивление объема 1.95 * 10-4Ω · см (2900 ℃), коэффициент термического расширения 6,73 * 10-6 / ℃, удельное сопротивление 40 ~ 50 / мкм · см, упругий модуль 35,9 * 103 МПа, прочность на сжатие 1380mpa. Очень подходит для ракетных насадок, которые могут быть использованы в качестве носовых шишек повторного въезда космических ракет. Используется в керамике и других отраслях промышленности.

Запрашивать

Уровень карбида Hafnium для Sale-Funcmater

R & D налей

Чалкогенид новые материалы
Нано порошок новые материалы
Покрытие пленки Новые материалы