Нитрид галлия (GAN)

Характерная черта

Нитрид галлия (GAN) представляет собой двоичный III / V прямой полупроводник BandGap, обычно используемый в светодиодах с 1990-х годов. Соединение представляет собой очень жесткий материал, который имеет хрустальную структуру Wurtzite. Его ширина пробела 3,4 эВ дает ему особые [Уточнение необходимых] Свойства для применений в оптоэлектронных [8] [9] мощных и высокочастотных устройств.

Химическая формула: Ган

Молярная масса: 83,730 г / моль

Внешний вид: желтый порошок

Плотность: 6,1 г / см³

Точка плавления:> 1600 ° C

Растворимость в воде: нерастворимый

Разрыв полосы: 3,4 эВ (300 К, прямой)

Мобильность электронов: 1500 см²/ (V · s) (300 k)

Теплопроводность: 1,3 Вт / (см · к) (300 k)

Индекс преломления (ND): 2.429

Кристаллическая структура: Wurtzite

заявка

Его чувствительность к ионизирующему излучению низкая (как и другие нитриды группы III), что делает его подходящим материалом для салфетких массивов солнечных элементов для спутников. Военные и космические приложения могут также получить пользу, поскольку устройства показали устойчивость в радиационной среде.

Поскольку транзисторы GAN могут работать при гораздо более высоких температурах и работают при гораздо более высоких напряжениях, чем транзисторов Gallium Arsenide (GaAs), они делают идеальные усилители мощности на микроволновых частотах. Кроме того, GAN предлагает перспективные характеристики для устройств THZ.

Галлия нитрид-msds.pdf