Annoutcent: Добро пожаловать на посещение нашего веб-сайта, любой запрос, пожалуйста, проверьте свяжитесь с нами. Сопутствующие бизнес, пожалуйста, подтвердите нашим продавцам, приятного посещения поездки.
Pусский  |
22398-80-7
Вспомогательный
491500WF.
<100>
4 '' / 6 ''
244-959-5.
Характеристика
Индий фосфида (ИНП) представляет собой двоичный полупроводник, состоящий из индий и фосфора. Он имеет граническую кубическую (\ «\» \"\" \"\" \"\" \"\" \"\" \"\" \"\" \"\" \"\" \"\") кристаллической структурой, одинаковую для GaAs и большинства полупроводников III-V.
Химическая формула: ИНП
Молярная масса: 145,792 г / моль
Внешний вид: черные кубические кристаллы
Плотность: 4,81 г / см3, твердый
Точка плавления: 1,062 ° C (1 944 ° F; 1,335 k)
Растворимость: слегка растворим в кислотах [1]
Band Gap: 1.344 EV (300 К; прямой)
Мобильность электронов: 5400 см2 / (V · S) (300 K)
Теплопроводность: 0,68 Вт / (см · К) (300 К)
Индекс преломления (ND): 3.1 (инфракрасный);
3,55 (632,8 нм)
Кристаллическая структура: цинковый блюд
Заявление
INP используется в мощной и высокочастотной электронике из-за его превосходной скорости электронной скорости относительно более распространенных полупроводников кремния и арсенида галлия.
Он использовался с арсенидом Indium Gallium, чтобы сделать рекордный разрыв псевдоморфной гетеропередачи биполярного транзистора, который мог бы работать при 604 ГГц.
Он также имеет прямую BandGap, что делает его полезным для устройств оптоэлектроники, такими как лазерные диоды.
ИНП также используется в качестве субстрата для эпитаксиальных индийских галлий арсенидных оптово-электронных устройств.
Характеристика
Индий фосфида (ИНП) представляет собой двоичный полупроводник, состоящий из индий и фосфора. Он имеет граническую кубическую (\ «\» \"\" \"\" \"\" \"\" \"\" \"\" \"\" \"\" \"\" \"\") кристаллической структурой, одинаковую для GaAs и большинства полупроводников III-V.
Химическая формула: ИНП
Молярная масса: 145,792 г / моль
Внешний вид: черные кубические кристаллы
Плотность: 4,81 г / см3, твердый
Точка плавления: 1,062 ° C (1 944 ° F; 1,335 k)
Растворимость: слегка растворим в кислотах [1]
Band Gap: 1.344 EV (300 К; прямой)
Мобильность электронов: 5400 см2 / (V · S) (300 K)
Теплопроводность: 0,68 Вт / (см · К) (300 К)
Индекс преломления (ND): 3.1 (инфракрасный);
3,55 (632,8 нм)
Кристаллическая структура: цинковый блюд
Заявление
INP используется в мощной и высокочастотной электронике из-за его превосходной скорости электронной скорости относительно более распространенных полупроводников кремния и арсенида галлия.
Он использовался с арсенидом Indium Gallium, чтобы сделать рекордный разрыв псевдоморфной гетеропередачи биполярного транзистора, который мог бы работать при 604 ГГц.
Он также имеет прямую BandGap, что делает его полезным для устройств оптоэлектроники, такими как лазерные диоды.
ИНП также используется в качестве субстрата для эпитаксиальных индийских галлий арсенидных оптово-электронных устройств.
