Annoutcent: Добро пожаловать на посещение нашего веб-сайта, любой запрос, пожалуйста, проверьте свяжитесь с нами. Сопутствующие бизнес, пожалуйста, подтвердите нашим продавцам, приятного посещения поездки.
Pусский  |
12064-03-8
GaSb
315100ST
99,99% -99,999%
2 дюйма диаметром x 0,125 дюйма толщиной и т. Д.
235-058-8
Характерная черта
Антимонид галлия (GaSb) представляет собой полупроводниковое соединение галлия и сурьмы семейства III-V.Он имеет постоянную решетки около 0,61 нм.
Химическая формула
Молярная масса ： 191,483 г / моль
Плотность ： 5,614 г / см3
Температура плавления ： 712 ° C (1314 ° F, 985 K)
Растворимость в воде ： не растворим
Ширина запрещенной зоны 0,726 эВ (300 К)
Подвижность электронов ： 3000 см2 / (В * с) (300 K)
Теплопроводность ： 0,32 Вт / (см * К) (300 К)
Показатель преломления (нД) 3,8
Кристаллическая структура - Сфалерит, cF8
заявка
GaSb может использоваться в инфракрасных детекторах, инфракрасных светодиодах, лазерах и транзисторах, а также в термофотоэлектрических системах.
Характерная черта
Антимонид галлия (GaSb) представляет собой полупроводниковое соединение галлия и сурьмы семейства III-V.Он имеет постоянную решетки около 0,61 нм.
Химическая формула
Молярная масса ： 191,483 г / моль
Плотность ： 5,614 г / см3
Температура плавления ： 712 ° C (1314 ° F, 985 K)
Растворимость в воде ： не растворим
Ширина запрещенной зоны 0,726 эВ (300 К)
Подвижность электронов ： 3000 см2 / (В * с) (300 K)
Теплопроводность ： 0,32 Вт / (см * К) (300 К)
Показатель преломления (нД) 3,8
Кристаллическая структура - Сфалерит, cF8
заявка
GaSb может использоваться в инфракрасных детекторах, инфракрасных светодиодах, лазерах и транзисторах, а также в термофотоэлектрических системах.
