Annoutcent: Добро пожаловать на посещение нашего веб-сайта, любой запрос, пожалуйста, проверьте свяжитесь с нами. Сопутствующие бизнес, пожалуйста, подтвердите нашим продавцам, приятного посещения поездки.
Pусский  |
12055-23-1
HfO2
720800ST
99,95–99,99%
Диаметр 6 дюймов x 0,25 дюйма и т. Д.
235-013-2
Характерная черта
Оксид гафния (IV) представляет собой неорганическое соединение с формулой HfO2.Это бесцветное твердое вещество, также известное как гафния, является одним из наиболее распространенных и стабильных соединений гафния.Это электрический изолятор с шириной запрещенной зоны 5,3 ~ 5,7 эВ.Диоксид гафния является промежуточным звеном в некоторых процессах, при которых образуется металлический гафний.
Химическая формула2
Молярная масса ： 210,49 г / моль
Внешний вид ： грязно-белый порошок
Плотность ： 9,68 г / см3, твердый
Температура плавления - 2758 ° C (4,996 ° F; 3031 K)
Температура кипения 5,400 ° C (9,750 ° F; 5,670 K)
Растворимость в воде ： не растворим
Магнитная восприимчивость (‡) ：âˆ'23,0 · 10âˆ'6см3/ моль
заявка
Гафния используется в оптических покрытиях, а также в качестве диэлектрика с высоким κ в конденсаторах DRAM и в современных металлооксидных полупроводниковых устройствах.
В последние годы оксид гафния (а также легированный оксид гафния с дефицитом кислорода) привлекает дополнительный интерес как возможный кандидат для резистивно-коммутируемой памяти, КМОП-совместимых сегнетоэлектрических полевых транзисторов (память FeFET) и микросхем памяти.
Из-за очень высокой температуры плавления гафния также используется в качестве огнеупорного материала для изоляции таких устройств, как термопары, где он может работать при температурах до 2500 ° C.
Многослойные пленки из диоксида гафния, кремнезема и других материалов были разработаны для использования в пассивном охлаждении зданий.Пленки отражают солнечный свет и излучают тепло на длинах волн, проходящих через атмосферу Земли, и могут иметь температуру на несколько градусов ниже, чем окружающие материалы при тех же условиях.
Характерная черта
Оксид гафния (IV) представляет собой неорганическое соединение с формулой HfO2.Это бесцветное твердое вещество, также известное как гафния, является одним из наиболее распространенных и стабильных соединений гафния.Это электрический изолятор с шириной запрещенной зоны 5,3 ~ 5,7 эВ.Диоксид гафния является промежуточным звеном в некоторых процессах, при которых образуется металлический гафний.
Химическая формула2
Молярная масса ： 210,49 г / моль
Внешний вид ： грязно-белый порошок
Плотность ： 9,68 г / см3, твердый
Температура плавления - 2758 ° C (4,996 ° F; 3031 K)
Температура кипения 5,400 ° C (9,750 ° F; 5,670 K)
Растворимость в воде ： не растворим
Магнитная восприимчивость (‡) ：âˆ'23,0 · 10âˆ'6см3/ моль
заявка
Гафния используется в оптических покрытиях, а также в качестве диэлектрика с высоким κ в конденсаторах DRAM и в современных металлооксидных полупроводниковых устройствах.
В последние годы оксид гафния (а также легированный оксид гафния с дефицитом кислорода) привлекает дополнительный интерес как возможный кандидат для резистивно-коммутируемой памяти, КМОП-совместимых сегнетоэлектрических полевых транзисторов (память FeFET) и микросхем памяти.
Из-за очень высокой температуры плавления гафния также используется в качестве огнеупорного материала для изоляции таких устройств, как термопары, где он может работать при температурах до 2500 ° C.
Многослойные пленки из диоксида гафния, кремнезема и других материалов были разработаны для использования в пассивном охлаждении зданий.Пленки отражают солнечный свет и излучают тепло на длинах волн, проходящих через атмосферу Земли, и могут иметь температуру на несколько градусов ниже, чем окружающие материалы при тех же условиях.
