Annoutcent: Добро пожаловать на посещение нашего веб-сайта, любой запрос, пожалуйста, проверьте свяжитесь с нами. Сопутствующие бизнес, пожалуйста, подтвердите нашим продавцам, приятного посещения поездки.
Pусский  |
1314-61-0
Ta2O5
730800ST
99,99% -99,999%
Диаметр 10 дюймов x 0,25 дюйма и т. Д.
215-238-2
Характерная черта
Пентоксид тантала, также известный как оксид тантала (V), представляет собой неорганическое соединение с формулой Ta2O5.Это белое твердое вещество, нерастворимое во всех растворителях, но подверженное действию сильных оснований и плавиковой кислоты.Та2O5представляет собой инертный материал с высоким показателем преломления и низким поглощением (т.е. бесцветный), что делает его полезным для покрытий.Он также широко используется в производстве конденсаторов из-за его высокой диэлектрической проницаемости.
Химическая формула ： Ta2O5
Молярная масса ： 441,893 г / моль
Внешний вид ： белый порошок без запаха
Плотность ： β-Ta2O5 = 8,18 г / см3
α-Ta2O5 = 8,37 г / см3
Точка плавления ： 1872 ° C (3402 ° F, 2145 K)
Растворимость в воде ： незначительная
Растворимость ： не растворяется в органических растворителях и большинстве минеральных кислот, реагирует с HF.
Ширина запрещенной зоны ： 3,8 - 5,3 эВ
Магнитная восприимчивость (χ) - 32,0 · 10âˆ'6см3/ моль
Показатель преломления (нД) 2,275
заявка
В электронике
Благодаря большой ширине запрещенной зоны и диэлектрической проницаемости пятиокись тантала нашла множество применений в электронике, особенно в танталовых конденсаторах.Они используются в автомобильной электронике, сотовых телефонах и пейджерах, электронных схемах;тонкопленочные компоненты;и высокоскоростные инструменты.В 1990-х годах возрос интерес к использованию оксида тантала в качестве диэлектрика с высоким коэффициентом k для конденсаторов DRAM.,
Он используется во встроенных в кристалл конденсаторах металл-изолятор-металл для высокочастотных интегральных схем КМОП.Оксид тантала может применяться в качестве слоя улавливания заряда для энергонезависимой памяти. Оксид тантала применяется в резистивной коммутирующей памяти.
Другое использование
Благодаря высокому показателю преломления Ta2O5был использован при изготовлении стекла фотографических линз.
Характерная черта
Пентоксид тантала, также известный как оксид тантала (V), представляет собой неорганическое соединение с формулой Ta2O5.Это белое твердое вещество, нерастворимое во всех растворителях, но подверженное действию сильных оснований и плавиковой кислоты.Та2O5представляет собой инертный материал с высоким показателем преломления и низким поглощением (т.е. бесцветный), что делает его полезным для покрытий.Он также широко используется в производстве конденсаторов из-за его высокой диэлектрической проницаемости.
Химическая формула ： Ta2O5
Молярная масса ： 441,893 г / моль
Внешний вид ： белый порошок без запаха
Плотность ： β-Ta2O5 = 8,18 г / см3
α-Ta2O5 = 8,37 г / см3
Точка плавления ： 1872 ° C (3402 ° F, 2145 K)
Растворимость в воде ： незначительная
Растворимость ： не растворяется в органических растворителях и большинстве минеральных кислот, реагирует с HF.
Ширина запрещенной зоны ： 3,8 - 5,3 эВ
Магнитная восприимчивость (χ) - 32,0 · 10âˆ'6см3/ моль
Показатель преломления (нД) 2,275
заявка
В электронике
Благодаря большой ширине запрещенной зоны и диэлектрической проницаемости пятиокись тантала нашла множество применений в электронике, особенно в танталовых конденсаторах.Они используются в автомобильной электронике, сотовых телефонах и пейджерах, электронных схемах;тонкопленочные компоненты;и высокоскоростные инструменты.В 1990-х годах возрос интерес к использованию оксида тантала в качестве диэлектрика с высоким коэффициентом k для конденсаторов DRAM.,
Он используется во встроенных в кристалл конденсаторах металл-изолятор-металл для высокочастотных интегральных схем КМОП.Оксид тантала может применяться в качестве слоя улавливания заряда для энергонезависимой памяти. Оксид тантала применяется в резистивной коммутирующей памяти.
Другое использование
Благодаря высокому показателю преломления Ta2O5был использован при изготовлении стекла фотографических линз.
