Фосфид галлия (GaP) - мишень для распыления

Характерная черта

Фосфид галлия (GaP), фосфид галлия, представляет собой сложный полупроводниковый материал с непрямой запрещенной зоной 2,24 эВ при комнатной температуре.Загрязненный поликристаллический материал имеет вид бледно-оранжевых или сероватых кусочков.Нелегированные монокристаллы имеют оранжевый цвет, но сильно легированные пластины выглядят темнее из-за поглощения свободных носителей заряда.Не имеет запаха и не растворяется в воде.

Химическая формула ： GaP

Молярная масса 100,697 g / mol

Внешний вид: бледно-оранжевое твердое вещество

Запах ： без запаха

Плотность ： 4,138 г / см³

Точка плавления ： 1,457 ° C (2655 ° F, 1,730 K)

Растворимость в воде: не растворим.

Ширина запрещенной зоны ： 2,24 эВ (непрямая, 300 К)

Подвижность электронов ： 300 см2 / (В · с) (300 K)

Магнитная восприимчивость (χ) - 13,8 × 10^âˆ'6cgs

Теплопроводность ： 0,752 Вт / (см · К) (300 К)

Показатель преломления (нД) ： 2,964 (10 мкм), 3,209 (775 нм), 3,590 (500 нм), 5,05 (354 нм)

Кристаллическая структура ： Цинковая обманка

заявка

Сера или теллур используются в качестве присадок для производства полупроводников n-типа.Цинк используется в качестве легирующей примеси для полупроводника p-типа.

Фосфид галлия_MSDS.pdf