Арсенид индия (InAs)-пластина

Характеристика

Индий арсенид, инас или монооренация индия, представляет собой полупроводник, состоящий из индий и мышьяка. Имеет появление серого кубических кристаллов с точкой плавления 942 ° С.

Химическая формула: ина

Молярная масса: 189,740 г / моль

Плотность: 5,67 г / см³

Точка плавления: 942 ° C (1,728 ° F; 1,215 K)

Разрыв полосы: 0,354 EV (300 K)

Мобильность электронов: 40000 см2 / (V * S)

Теплопроводность: 0,27 Вт / (см * k) (300 К)

Индекс преломления (ND): 3.51

Кристаллическая структура: цинковый блюд

Заявление

Арсенид индия используется для построения инфракрасных детекторов для диапазона длин волн 1-3,8 мкм. Детекторы обычно являются фотоэлектрическими фотодиодами. Кригеогенерически охлажденные детекторы имеют нижний шум, но детекторы INAS могут быть использованы в приложениях с более высокой мощностью при комнатной температуре. Индий арсенид также используется для изготовления диодных лазеров.

Inas.pdf.