Арсенид галлия (GaAs) -Пластина

Характерная черта

Арсенид галлия (GaAs) представляет собой соединение элементов галлия и мышьяка.Это полупроводник с прямой запрещенной зоной III-V с кристаллической структурой цинковой обманки.

Химическая формула ： GaAs

Молярная масса ： 144,645 г / моль

Внешний вид ： Серые кристаллы

Запах ： чесночный при увлажнении

Плотность ： 5,3176 г / см³

Точка плавления ： 1238 ° C (2260 ° F, 1511 K)

Растворимость в воде ： не растворим

Растворимость ： растворим в HCl

не растворим в этаноле, метаноле, ацетоне

Ширина запрещенной зоны ： 1,441 эВ (при 300 К)

Подвижность электронов 9000 см2 / (В · с) (при 300 К)

Магнитная восприимчивость (‡) ：-16,2Ã-10⁻⁶cgs

Теплопроводность 0,56 Вт / (см · К) (при 300 К)

Показатель преломления (нД) ：3,3

Кристаллическая структура ： Цинковая обманка

заявка

Арсенид галлия используется в производстве таких устройств, как СВЧ интегральные схемы, монолитные СВЧ интегральные схемы, инфракрасные светодиоды, лазерные диоды, солнечные элементы и оптические окна.

GaAs часто используется в качестве материала подложки для эпитаксиального роста других полупроводников AIIIBV, включая арсенид индия-галлия, арсенид алюминия-галлия и другие.

Арсенид галлия_MSDS.pdf