Annoutcent: Добро пожаловать на посещение нашего веб-сайта, любой запрос, пожалуйста, проверьте свяжитесь с нами. Сопутствующие бизнес, пожалуйста, подтвердите нашим продавцам, приятного посещения поездки.
Pусский  |
12007-23-7.
HFB2.
720500ст
99,5%
3-дюймовый диаметр х 0,25 дюйма th.etc
234-500-7.
Характерная черта
Димарид гафния принадлежит к классу ультрастрантовой керамики, типа керамики, состоящего из гафния и бора. Он имеет температуру плавления около 3250 градусов по Цельсию. Это необычная керамика, имеющая относительно высокую термическую и электрическую проводимость, свойства делится с изоструктуренным титановым диборидом и диоридом циркония. Это серый, металлический материал. Димарид Hafnium имеет гексагональную кристаллическую структуру, молярную массу 200,11 грамма на моль и плотность 10,5 грамм на кубический сантиметр.
Химическая формула: HFB2
Молярная масса: 200,11 г / моль
Плотность: 10,5 г / см3
Точка плавления: CA. 3,250 ° C (5 880 ° F; 3,520 K)
Кристаллическая структура: шестиугольный, HP3
заявка
Диорид Хафния также исследован как возможный новый материал для контрольных стержней ядерных реакторов. Это также исследуется как диффузионный барьер микрочипа. Если правильно синтезируется, барьер может составлять менее 7 нм толщиной.
Характерная черта
Димарид гафния принадлежит к классу ультрастрантовой керамики, типа керамики, состоящего из гафния и бора. Он имеет температуру плавления около 3250 градусов по Цельсию. Это необычная керамика, имеющая относительно высокую термическую и электрическую проводимость, свойства делится с изоструктуренным титановым диборидом и диоридом циркония. Это серый, металлический материал. Димарид Hafnium имеет гексагональную кристаллическую структуру, молярную массу 200,11 грамма на моль и плотность 10,5 грамм на кубический сантиметр.
Химическая формула: HFB2
Молярная масса: 200,11 г / моль
Плотность: 10,5 г / см3
Точка плавления: CA. 3,250 ° C (5 880 ° F; 3,520 K)
Кристаллическая структура: шестиугольный, HP3
заявка
Диорид Хафния также исследован как возможный новый материал для контрольных стержней ядерных реакторов. Это также исследуется как диффузионный барьер микрочипа. Если правильно синтезируется, барьер может составлять менее 7 нм толщиной.
