Annoutcent: Добро пожаловать на посещение нашего веб-сайта, любой запрос, пожалуйста, проверьте свяжитесь с нами. Сопутствующие бизнес, пожалуйста, подтвердите нашим продавцам, приятного посещения поездки.
Pусский  |
1315-11-3
ZnTe
305200GN
99,99% -99,999%
3 мм - 6 мм
215-260-2
Характерная черта
Теллурид цинка представляет собой бинарное химическое соединение с формулой ZnTe.Это твердое тело представляет собой полупроводниковый материал с прямой запрещенной зоной 2,26 эВ.Обычно это полупроводник p-типа.Его кристаллическая структура кубическая, как у сфалерита и алмаза.
Химическая формула
Молярная масса 192,99 г / моль.
Внешний вид ： красные кристаллы
Плотность ： 6,34 г / см3
Точка плавления ： 1,295 ° C;2363 ° F;1,568 К
Ширина запрещенной зоны ： 2,26 эВ
Подвижность электронов ： 340 см2 / (В · с)
Теплопроводность ： 108 мВт / (см · К)
Показатель преломления (нД) 3,56
Кристаллическая структура ： Цинковая обманка (кубическая)
заявка
Основные области применения теллурида цинка и селенида цинка схожи, могут использоваться в качестве полупроводникового и инфракрасного материала и обладают характеристиками оптической проводимости, флуоресценции и так далее.
Кристаллы теллурида цинка обладают хорошими электрооптическими эффектами при воздействии ультратонких импульсов в ближней инфракрасной области (~ 800 нм) и хорошо отработанной технологии получения.Они обычно используются в качестве источника оптического выпрямляющего терагерцевого излучения и материала для обнаружения, а также находят применение в устройствах, излучающих зеленый свет, солнечных элементах, волноводах, модуляторах и других фотоэлектрических устройствах.
Характерная черта
Теллурид цинка представляет собой бинарное химическое соединение с формулой ZnTe.Это твердое тело представляет собой полупроводниковый материал с прямой запрещенной зоной 2,26 эВ.Обычно это полупроводник p-типа.Его кристаллическая структура кубическая, как у сфалерита и алмаза.
Химическая формула
Молярная масса 192,99 г / моль.
Внешний вид ： красные кристаллы
Плотность ： 6,34 г / см3
Точка плавления ： 1,295 ° C;2363 ° F;1,568 К
Ширина запрещенной зоны ： 2,26 эВ
Подвижность электронов ： 340 см2 / (В · с)
Теплопроводность ： 108 мВт / (см · К)
Показатель преломления (нД) 3,56
Кристаллическая структура ： Цинковая обманка (кубическая)
заявка
Основные области применения теллурида цинка и селенида цинка схожи, могут использоваться в качестве полупроводникового и инфракрасного материала и обладают характеристиками оптической проводимости, флуоресценции и так далее.
Кристаллы теллурида цинка обладают хорошими электрооптическими эффектами при воздействии ультратонких импульсов в ближней инфракрасной области (~ 800 нм) и хорошо отработанной технологии получения.Они обычно используются в качестве источника оптического выпрямляющего терагерцевого излучения и материала для обнаружения, а также находят применение в устройствах, излучающих зеленый свет, солнечных элементах, волноводах, модуляторах и других фотоэлектрических устройствах.
