Annoutcent: Добро пожаловать на посещение нашего веб-сайта, любой запрос, пожалуйста, проверьте свяжитесь с нами. Сопутствующие бизнес, пожалуйста, подтвердите нашим продавцам, приятного посещения поездки.
Pусский  |
12040-02-7
SnTe
505200PD
99,99% -99,999%
- 160 меш (-150 микрон)
234-914-8
Класс 6.1
UN3288
PGIII
Характерная черта
Теллурид олова представляет собой соединение олова и теллура (SnTe);является узкозонным полупроводником IV-VI и имеет прямую запрещенную зону 0,18 эВ.Его часто легируют свинцом для получения теллурида свинца и олова, который используется в качестве материала для обнаружения инфракрасного излучения.
Химическая формула
Молярная масса 246,31 г / моль.
Внешний вид: серые кубические кристаллы.
Плотность ： 6.445 г / см3
Температура плавления ： 790 ° C (1450 ° F; 1060 K)
Ширина запрещенной зоны ： 0,18 эВ
Подвижность электронов ： 500 см2â € ‰Vâˆ'1 sâˆ'1
Кристаллическая структура ： Галит (куб.), CF8
заявка
Обычно Pb легируют SnTe для получения интересных оптических и электронных свойств. Кроме того, в результате квантового ограничения ширина запрещенной зоны SnTe увеличивается за пределами объемной запрещенной зоны, покрывая диапазон длин волн среднего ИК-диапазона.Легированный материал использовался в фотоприемниках среднего ИК диапазона и термоэлектрических генераторах.
Характерная черта
Теллурид олова представляет собой соединение олова и теллура (SnTe);является узкозонным полупроводником IV-VI и имеет прямую запрещенную зону 0,18 эВ.Его часто легируют свинцом для получения теллурида свинца и олова, который используется в качестве материала для обнаружения инфракрасного излучения.
Химическая формула
Молярная масса 246,31 г / моль.
Внешний вид: серые кубические кристаллы.
Плотность ： 6.445 г / см3
Температура плавления ： 790 ° C (1450 ° F; 1060 K)
Ширина запрещенной зоны ： 0,18 эВ
Подвижность электронов ： 500 см2â € ‰Vâˆ'1 sâˆ'1
Кристаллическая структура ： Галит (куб.), CF8
заявка
Обычно Pb легируют SnTe для получения интересных оптических и электронных свойств. Кроме того, в результате квантового ограничения ширина запрещенной зоны SnTe увеличивается за пределами объемной запрещенной зоны, покрывая диапазон длин волн среднего ИК-диапазона.Легированный материал использовался в фотоприемниках среднего ИК диапазона и термоэлектрических генераторах.
