Annoutcent: Добро пожаловать на посещение нашего веб-сайта, любой запрос, пожалуйста, проверьте свяжитесь с нами. Сопутствующие бизнес, пожалуйста, подтвердите нашим продавцам, приятного посещения поездки.
FUNCMATER
+86-029-88993870                 sales@funcmater.com
Вы здесь: Дома » Продукты » Тонкопленочные материалы покрытия » Испарительные материалы » Карбид / нитрид испарительный материал » Нитрид галлия (GaN) - гранулы

ИНФОРМАЦИЯ О ПРОДУКТЕ

loading

Поделиться с:
facebook sharing button
twitter sharing button
line sharing button
wechat sharing button
linkedin sharing button
pinterest sharing button
sharethis sharing button

Нитрид галлия (GaN) - гранулы

  • 25617-97-4

  • Гонора

  • 310700GN

  • 99,99% -99,9999%

  • 3 мм - 6 мм

  • 247-129-0

штат:

Характеристика


Нитрид галлия (GAN) представляет собой двоичный полупроводник III / V прямой пандергап, обычно используемый в светодиодах с 1990-х годов. Соединение представляет собой очень твердый материал, который имеет христальную структуру Wurtzite. Его широкополосный разрыв из 3,4 эВ обеспечивает его особые [Уточнение необходимых] Свойства для применений в оптоэлектронных, [8] [9] мощных и высокочастотных устройств.     


Химическая формула: Ган

Молярная масса: 83,730 г / моль

Внешний вид: желтый порошок

Плотность: 6,1 г / см3

Точка плавления:> 1600 ° C

Растворимость в воде: нерастворимый

Разрыв полосы: 3,4 эВ (300 К, прямой)

Мобильность электронов: 1500 см2/ (V · s) (300 k)

Теплопроводность: 1,3 Вт / (см · к) (300 k)

Индекс преломления (ND): 2.429

Кристаллическая структура: Wurtzite



Заявление


Его чувствительность к ионизирующему излучению низкое (как и другие нитриды III группы), что делает его подходящим материалом для салфетки солнечных элементов для спутников. Военные и космические приложения могут также получить пользу, поскольку устройства показали устойчивость в радиационных средах.


Поскольку GAN Transistors может работать при гораздо более высоких температурах и работать при гораздо более высоких напряжениях, чем транзисторов Gallium Arsenide (GaAs), они делают идеальные усилители мощности на микроволновых частотах. Кроме того, GAN предлагает перспективные характеристики для устройств THZ.


на: 
под: 

Быстрый контакт

Пенни
20+ лет опыта
Достижение
Более 1000 долларов США в продажах
--------------------------------------------
Белинда
16+ лет опыта
Оценка клиентов
★★★★★
--------------------------------------------
Фреда
16+ лет опыта
Скорость отклика
100%

СВЯЖИТЕСЬ С НАМИ

Адрес: № 69, долина Газель, высокотехнологичная зона Xi'an City, провинция Шэньси, P.R.Чина
Тел: + 86-29-88993870
Факс: + 86-29-89389972
Эл. адрес :sales@funcmater.com
WECHAT: Railwaydu
L106174941.

Информация

Адрес: № 69, долина Газель, высокотехнологичная зона Xi'an City, провинция Шэньси, P.r.china
Тел: + 86-29-88993870
           +86 - 13572830939
Эл. адрес :sales@funcmater.com
                       timdu@funcmater.com
WECHAT: Railwaydu
                      L106174941.

Глобальные агенты

Мы набираем глобальных агентов, если вам интересно, присоединяйтесь к нам!
Feedback
авторское право2021 XI'AN FUNCTION MATERIAL GROUP CO.,LTD