Annoutcent: Добро пожаловать на посещение нашего веб-сайта, любой запрос, пожалуйста, проверьте свяжитесь с нами. Сопутствующие бизнес, пожалуйста, подтвердите нашим продавцам, приятного посещения поездки.
Pусский  |
24304-00-5.
Ал
130700ст
99,9%
1 дюйм Dia x 0,125 дюйма th.etc
246-140-8
Характерная черта
Нитрид алюминия (ALN) - это твердый нитрид алюминия. Он имеет высокую теплопроводность до 285 Вт / (м · к) и представляет собой электрический изолятор. Его Wartzite Phase (W-Aln) имеет зону зоны ~ 6 эВ при комнатной температуре и имеет потенциальное применение в оптоэлектронике, работающей на глубоких ультрафиолетовых частотах.
Химическая формула: ALN
Молярная масса: 40,989 г / моль
Внешний вид: белый до бледно-желтого твердого вещества
Плотность: 3,255 г / см3
Точка плавления: 2500 ° C (4,530 ° F; 2,770 k)
Растворимость в воде: гидролизирует (порошок), нерастворимый (монокристаллический)
Нерастворимый растворимость, предмет гидролиза в водных растворах баз и кислот
Band Gap: 6.015 EV
Мобильность электронов: ~ 300 см2/(Против)
Теплопроводность: 285 Вт / (м · k)
Индекс преломления (ND): 2.1-2,2 (кристаллы) 1.8-1,9 (аморфный)
Кристаллическая структура: Wurtzite
заявка
Эпитаксиально выращенная тонкость кристаллического алюминия нитрида используется для поверхностных акустических датчиков (пил), нанесенных на кремниевые вафли из-за пьезоэлектрических свойств ALN. Одно приложение представляет собой RF-фильтр, который широко используется в мобильных телефонах, который называется тонкой пленочной массой акустического резонатора (FBAR). Это устройство MEMS, которое использует алюминиевый нитрид, зажатый между двумя металлическими слоями.
ALN также используется для построения пьезоэлектрических микромшиных ультразвуковых преобразователей, которые излучают и получают ультразвук, и которые могут быть использованы для дальности воздуха на расстояниях до метра.
Методы металлизации доступны для использования ALN в электронике приложения, аналогичные оксиду оксида оксида оксида оксида оксида алюминия и берилля. Aln NanoTubes в качестве неорганических квазидноразмерных нанотрубок, которые представляют изоэлектронные с углеродными нанотрубками, были предложены как химические датчики для токсичных газов.
В настоящее время много исследований в разработке светодиодных диодов для работы в ультрафиолетовом использовании полупроводников на основе нитрида галлия, и, используя нитрид алюминия сплавов, длины волн до 250 нм были достигнуты. В 2006 году было сообщено неэффективное излучение светодиодов ALN при 210 нм.
Характерная черта
Нитрид алюминия (ALN) - это твердый нитрид алюминия. Он имеет высокую теплопроводность до 285 Вт / (м · к) и представляет собой электрический изолятор. Его Wartzite Phase (W-Aln) имеет зону зоны ~ 6 эВ при комнатной температуре и имеет потенциальное применение в оптоэлектронике, работающей на глубоких ультрафиолетовых частотах.
Химическая формула: ALN
Молярная масса: 40,989 г / моль
Внешний вид: белый до бледно-желтого твердого вещества
Плотность: 3,255 г / см3
Точка плавления: 2500 ° C (4,530 ° F; 2,770 k)
Растворимость в воде: гидролизирует (порошок), нерастворимый (монокристаллический)
Нерастворимый растворимость, предмет гидролиза в водных растворах баз и кислот
Band Gap: 6.015 EV
Мобильность электронов: ~ 300 см2/(Против)
Теплопроводность: 285 Вт / (м · k)
Индекс преломления (ND): 2.1-2,2 (кристаллы) 1.8-1,9 (аморфный)
Кристаллическая структура: Wurtzite
заявка
Эпитаксиально выращенная тонкость кристаллического алюминия нитрида используется для поверхностных акустических датчиков (пил), нанесенных на кремниевые вафли из-за пьезоэлектрических свойств ALN. Одно приложение представляет собой RF-фильтр, который широко используется в мобильных телефонах, который называется тонкой пленочной массой акустического резонатора (FBAR). Это устройство MEMS, которое использует алюминиевый нитрид, зажатый между двумя металлическими слоями.
ALN также используется для построения пьезоэлектрических микромшиных ультразвуковых преобразователей, которые излучают и получают ультразвук, и которые могут быть использованы для дальности воздуха на расстояниях до метра.
Методы металлизации доступны для использования ALN в электронике приложения, аналогичные оксиду оксида оксида оксида оксида оксида алюминия и берилля. Aln NanoTubes в качестве неорганических квазидноразмерных нанотрубок, которые представляют изоэлектронные с углеродными нанотрубками, были предложены как химические датчики для токсичных газов.
В настоящее время много исследований в разработке светодиодных диодов для работы в ультрафиолетовом использовании полупроводников на основе нитрида галлия, и, используя нитрид алюминия сплавов, длины волн до 250 нм были достигнуты. В 2006 году было сообщено неэффективное излучение светодиодов ALN при 210 нм.
