Annoutcent: Добро пожаловать на посещение нашего веб-сайта, любой запрос, пожалуйста, проверьте свяжитесь с нами. Сопутствующие бизнес, пожалуйста, подтвердите нашим продавцам, приятного посещения поездки.
Pусский  |
Характеристика
Теллурид цинка - это бинарное химическое соединение с формулой ZnTe. Это твердое тело представляет собой полупроводниковый материал с прямой запрещенной зоной 2,26 эВ. Обычно это полупроводник p-типа. Его кристаллическая структура кубическая, как у сфалерита и алмаза.
Химическая формула ： ZnTe
Молярная масса ： 192,99 г / моль
Внешний вид ： красные кристаллы
Плотность ： 6,34 г / см3
Точка плавления ： 1,295 ° C; 2363 ° F; 1,568 К
Ширина запрещенной зоны ： 2,26 эВ
Подвижность электронов ： 340 см2/ (В · с)
Теплопроводность ： 108 мВт / (см · К)
Показатель преломления (нД) 3,56
Кристаллическая структура ： Цинковая обманка (кубическая)
заявка
Теллурид цинка легко легируется, и по этой причине он является одним из наиболее распространенных полупроводниковых материалов, используемых в оптоэлектронике. ZnTe важен для разработки различных полупроводниковых устройств, включая синие светодиоды, лазерные диоды, солнечные элементы и компоненты микроволновых генераторов. Его можно использовать для солнечных элементов, например, в качестве слоя на задней поверхности поля и полупроводникового материала p-типа для структуры CdTe / ZnTe или в структурах PIN-диодов. Материал также может быть использован в качестве компонента тройных полупроводниковых соединений. Теллурид цинка вместе с ниобатом лития часто используется для генерации импульсного терагерцового излучения в терагерцовой спектроскопии во временной области и терагерцовой визуализации.
Характеристика
Теллурид цинка - это бинарное химическое соединение с формулой ZnTe. Это твердое тело представляет собой полупроводниковый материал с прямой запрещенной зоной 2,26 эВ. Обычно это полупроводник p-типа. Его кристаллическая структура кубическая, как у сфалерита и алмаза.
Химическая формула ： ZnTe
Молярная масса ： 192,99 г / моль
Внешний вид ： красные кристаллы
Плотность ： 6,34 г / см3
Точка плавления ： 1,295 ° C; 2363 ° F; 1,568 К
Ширина запрещенной зоны ： 2,26 эВ
Подвижность электронов ： 340 см2/ (В · с)
Теплопроводность ： 108 мВт / (см · К)
Показатель преломления (нД) 3,56
Кристаллическая структура ： Цинковая обманка (кубическая)
заявка
Теллурид цинка легко легируется, и по этой причине он является одним из наиболее распространенных полупроводниковых материалов, используемых в оптоэлектронике. ZnTe важен для разработки различных полупроводниковых устройств, включая синие светодиоды, лазерные диоды, солнечные элементы и компоненты микроволновых генераторов. Его можно использовать для солнечных элементов, например, в качестве слоя на задней поверхности поля и полупроводникового материала p-типа для структуры CdTe / ZnTe или в структурах PIN-диодов. Материал также может быть использован в качестве компонента тройных полупроводниковых соединений. Теллурид цинка вместе с ниобатом лития часто используется для генерации импульсного терагерцового излучения в терагерцовой спектроскопии во временной области и терагерцовой визуализации.
